A Samsung lançou na noite de ontem sua nova linha de memórias DDR3, com módulos de 2 Gigabits (256 MB). Usando a técnica de fabricação de 50 nanômetros, a memória é duas vezes mais densa que suas antecessoras, e permite capacidades que antes era raro de se achar: um único pente de memória RAM agora pode ter 16 GB. Os notebooks também podem experimentar a novidade: pentes únicos de até 4 GB em um compacto tamanho físico poderão ser usados nesta categoria.
Além do aumento na capacidade, a Samsung conseguiu baixar o consumo de energia de seus módulos de 1 Gigabit em 40%. A capacidade aumentada permite um consumo ainda menor, já que um número menor de módulos seria usado para obter-se uma mesma capacidade. E, graças à maior largura de banda, o desempenho pulou em 60%.
A produção em massa de tais módulos de memória RAM se iniciará nos próximos meses, podendo ser uma ajuda aos desktops baseados em Intel que optaram por ter somente as DDR3. A Samsung afirma que aumentará a produção em 2009 conforme a demanda aumentar.
Fonte:
http://www.electronista.com/articles/08/09/28/samsung.2.gigabit.ddr3/
